台积电2nm工艺挤牙膏三星窃喜：2025年赶超机会来了

在日前的技术论坛上，全球最大的代工厂TSMC公布了芯片技术路线图，其中3nm技术多达5种2025年，它将推出2纳米技术，使用GAA晶体管技术

据TSMC介绍，与3nm工艺相比，2nm的速度在相同功耗下快10 ~ 15%，在相同速度下，功耗降低25~30%。

虽然这些指标看起来不错，但是2nm工艺的密度只提高了10%，远远达不到摩尔定律的密度翻倍的要求这也远远达不到先前TSMC工艺中至少70%的密度增加

2nm工艺的难度显然已经成为一种挑战，这使得TSMC在未来增加其密度变得越来越困难可是，对于竞争对手来说，TSMC这次挤牙膏让他们窃喜，有机会迎头赶上

2024—2025年不仅英特尔的20A/18A工艺会给TSMC的2nm带来压力，三星的麻烦会更大三星对GAA晶体管的使用比TSMC更激进，它将用于3纳米工艺

按照三星的计划，3nm GAA工艺预计6月量产与5nm工艺相比，该工艺性能提升15%，功耗降低30%，芯片面积减少35%

三星也将2nm GAA工艺的量产时间定在了2025年，与TSMC相差无几这也是三星最近几年来首次在新工艺量产方面赶上TSMC之前要放缓1—2年，导致竞争力不足